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产品名称: 【CN110061414A】一种半导体激光器芯片【专利】网

发布日期: 2020-09-16 18:49

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简述:  【CN110061414A】一种半导体激光器芯片【专利】_能源/化工_工程科技_专业原料。( 19 )中华百姓 共和邦邦度常识产权局 ( 12 )发现专利申请 (21)申请号 7 .1 (22)申请日 2019 .04 .02 (71)申请人 姑苏

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  【CN110061414A】一种半导体激光器芯片【专利】_能源/化工_工程科技_专业原料。( 19 )中华百姓 共和邦邦度常识产权局 ( 12 )发现专利申请 (21)申请号 7 .1 (22)申请日 2019 .04 .02 (71)申请人 姑苏长光华芯光电技巧

  ( 19 )中华百姓 共和邦邦度常识产权局 ( 12 )发现专利申请 (21)申请号 7 .1 (22)申请日 2019 .04 .02 (71)申请人 姑苏长光华芯光电技巧有限公司 所在 215163 江苏省姑苏市高新区昆仑山 途189号2栋 (72)发现人 周立王俊李波刘晓明 (74)专利署理机构 北京三聚阳光常识产权署理 有限公司 11250 署理人 刘林涛 (51)Int .Cl . H01S 5/022(2006 .01) H01S 5/32(2006 .01) (10)申请揭晓号 CN 110061414 A (43)申请揭晓日 2019.07.26 ( 54 )发现 名称 一种半导体激光器芯片 ( 57 )摘要 本发现公然了一种半导体激光器芯片 ,包 括 :第一导电 类型层和第二导电 类型层 ,所述第 二导电 类型 层的电 极面上具有 用于焊接封装半 导体激光器芯片的焊料,所述半导体激光器芯片 的 侧壁具 有 用于阻 止所述焊料连通所述 第一导 电类型层和所述第二导电类型层的绝缘膜。通过 配置正在半导体激光器芯片其侧壁上的绝缘膜,有 效地办理现有技巧中的半导体激光器芯片容易 因焊料 正在电 转移历程中联通 第一导电 类型 层和 第二导电类型层从而造成走电通道,导致其芯片 失效以至芯片发烧毁灭的题目。 权柄条件书1页 仿单5页 附图2页 CN 110061414 A CN 110061414 A 权柄条件书 1/1 页 1 .一种半导体激光器芯片,囊括:第一导电类型层(1)和第二导电类型层(2) ,所述第二 导电 类型层(2)的电极面上具有效于焊接封装半导体激光器芯片的焊料 (3) ,其特性正在于 , 所述半导体激光器芯 片的 侧壁具 有 用于阻 止所述焊料 (3) 连通所述 第一导电 类型 层 (1)和所述第二导电类型层(2)的绝缘膜(4)。 2 .凭据权柄条件1所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述绝缘膜(4)分散遮盖所 述第一导电类型层(1)和所述第二导电类型层(2)的侧壁其出光腔面(5)以外的面。 3 .凭据权柄条件1或2所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述第一导电类型层(1) 为芯片N层,所述第二导电类型层(2)为芯片P层。 4 .凭据权柄条件1至3中任一项所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述绝缘膜(4) 和所述半导体激光器芯片的 基材均为受热膨胀的 资料 ,所述绝缘膜 (4) 囊括钝化绝缘层以 及应力缓冲层,所述应力缓冲层的热膨胀系数介于所述钝化绝缘层和所述半导体激光器芯 片的基材之间。 5 .凭据权柄条件4所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述应力缓冲层为绝缘材 料。 6 .凭据权柄条件5所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述钝化绝缘层的构成因素 中囊括SiO2资料 ;所述应力缓 冲层的构成因素中囊括Si资料 ;所述半导体激光器芯片的 基 材其构成因素中囊括GaAs资料。 7 .凭据权柄条件1至6中任一项所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述绝缘膜(4) 通过粘附资料与所述半导体激光器芯片的侧壁相连。 8 .凭据权柄条件7所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,所述粘附资料为绝缘资料。 9 .凭据权柄条件1至8中任一项所述的半导体激光器芯片,其特性正在于,囊括与所述第 一导电 类型层(1) 相连的衬底(6) ,所述绝缘膜(4) 与所述衬底(6)的侧面贴合相连。 10 .一种权柄条件1-9中任一项所述的半导体激光器芯片的加工门径,其特性正在于,包 括以下步伐: S1正在出光腔面(5)外貌镀附腔面光学膜; S2正在所述半导体激光器芯片其所述出光腔面(5)以外的侧面镀附所述绝缘膜(4)。 2 CN 110061414 A 仿单 1/5 页 一种半导体激光器芯片 技巧界限 [0001] 本发现涉及半导体技巧界限,简直涉及一种半导体激光器芯片。 靠山技巧 [0002] 半导体激光器又称激光二极管,是用半导体资料行动职责物质的激光器,通常的 利用于激光通讯、网上赌彩光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面。半导体激光器芯片是半 导体激光器的 紧要构成个别 ,现行的半导体激光器芯片封装所使 用的 焊料大凡为铟 ,铟焊 料固然有导热率高、封装应力小等便宜,但也具有易滚动和易电转移等弊端。准陆续脉冲工 作下,铟焊料会产生电转移,电转移历程中会联通PN结的两种区别极性的半导体资料,造成 并联正在PN结上的一个电阻 ,造成一个走电 通道。铟焊料造成的电阻远小于芯片PN结电阻 ,芯 片职责时大方电 流从该走电 通道流过 ,容易形成半导体激光器芯片发烧毁灭 ,导致芯片失 效的题目产生。 发现实质 [0003] 是以,本发现旨正在供给一种半导体激光器芯片,以办理现有技巧中的半导体激光 器芯片容易因铟焊料正在电转移历程中联通PN结从而造成走电通道,导致其芯片失效以至芯 片发烧毁灭的问 题。为此 ,本发现供给一 种半导体激光器芯片 ,囊括 :第一导电 类型层和第 二导电 类型层 ,第二导电 类型层的电 极面上具有 用于焊接封装半导体激光器芯片的 焊料 , 电极面与焊料直接焊接相连从而封装半导体激光器芯片, [0004] 半导体激光器芯片的侧壁具有效于障碍焊料连通第一导电类型层和第二导电类 型层的绝缘膜。 [0005] 绝缘膜分散遮盖第一导电类型层和第二导电类型层的侧壁其出光腔面以外的面。 [0006] 第一导电类型层为芯片N层,第二导电类型层为芯片P层。 [0007] 绝缘膜和半导体激光器芯片的基材均为受热膨胀的资料,绝缘膜囊括钝化绝缘层 以及应力缓冲层,应力缓冲层的热膨胀系数介于钝化绝缘层和半导体激光器芯片的基材之 间。 [0008] 应力缓冲层为绝缘资料。 [0009] 钝化绝缘层的构成因素中囊括SiO2资料;应力缓冲层的构成因素中囊括Si资料; 半导体激光器芯片的基材其构成因素中囊括GaAs资料。 [0010] 绝缘膜通过粘附资料与半

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